[发明专利]平面磁控管无效
| 申请号: | 02817406.2 | 申请日: | 2002-09-06 |
| 公开(公告)号: | CN1552087A | 公开(公告)日: | 2004-12-01 |
| 发明(设计)人: | P·J·克拉克 | 申请(专利权)人: | 溅射薄膜有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/34 | 分类号: | H01J37/34;C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 在一个阳极和一个平面放置的靶之间,在第一方向上,提供一电场。提供一磁场,使其磁力线在第二个方向,所述第二方向基本垂直于所述第一方向。磁结构可以由永磁体和由可磁化的极靴形成,这些永磁体在水平方向径向伸展,象车轮的轮辐那样,这些可磁化的极靴从垂直于轮辐的相对端垂直伸展。这些永磁体和这些极靴形成一个井。将靶放置在该井中,以使它的平面放置方向与磁力线方向一致。惰性气体分子流过所述井。井中的电子在第三方向运动,此方向基本垂直于所述第一和所述第二方向。电子电离所述惰性气体分子。离子被吸引到所述靶并从所述靶表面溅射出原子。溅射原子沉积在基片上。在所述井中的反射体,靠近磁结构的径向的外壁,在一个实施例中,它靠近磁结构的径向的内壁,以阻止电子碰撞永磁体。所述反射体和所述阳极被流体(如,水)冷却。现有技术可从靶上溅射出约35%的材料沉积在基片上,与其相比,本发明的磁控管从靶上溅射出多达65%的材料沉积在基片上。 | ||
| 搜索关键词: | 平面 磁控管 | ||
【主权项】:
1、一种用于提供溅射原子以沉积到基片上的设备,所述设备包括:一个靶;一个阳极,其电势相对于所述靶的电势为正,以在所述靶和所述阳极之间,在第一方向,产生一电场;以及一个磁结构,其相对于所述阳极和所述靶放置,以在第二方向产生一磁场,所述第二方向基本与所述第一方向垂直;所述靶被放置在基本与所述磁场的方向一致的方向上。
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