[发明专利]使用薄膜导线中高电流密度局部产生的磁场的记录磁头无效
| 申请号： | 02816801.1 | 申请日： | 2002-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1550003A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | T·W·科林顿;M·A·塞格勒;R·E·罗特美涅 | 申请（专利权）人： | 西加特技术有限责任公司 |
| 主分类号： | G11B5/09 | 分类号： | G11B5/09;G11B5/127;G11B5/17;G11B5/012 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在磁存储介质(58)中记录信息位的一种方法，所述方法包括放置第一导体(50)使之邻近磁记录介质(58)，导体具有宽度和长度，其中第一导体和磁记录介质之间的距离小于或等于宽度和长度，并使第一电流流过足够幅度的导体以在磁记录介质中产生磁场，该磁场大于一特斯拉，并具有交叉磁道方向和下磁道反向的一个位尺寸上的大于100奥斯特/纳米(Oe/nm)的磁场梯度。还包括根据本方法的、记录数据的磁性记录头(48)和盘驱动器(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 薄膜 导线 中高 电流密度 局部 产生 磁场 记录 磁头 | ||
【主权项】：
1.在磁存储介质中记录信息位的一种方法，所述方法包括：放置第一导体(50)使之邻近磁记录介质(58)，所述导体具有宽度和长度，其中第一导体和所述磁记录介质之间的距离小于或等于所述宽度和长度；以及使足够幅度的电流流过所述导体以在磁介质中产生大于1特斯拉的磁场，并且在交叉磁道方向和下磁道方向上在一个位尺寸上具有大于100奥斯特/纳米的磁场梯度。
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