[发明专利]切割用胶粘薄膜及切割方法有效
| 申请号： | 02815725.7 | 申请日： | 2002-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1541257A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 山本昌司 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的切割用胶粘薄膜，是一种在基材薄膜上设置有胶粘剂层的切割用胶粘薄膜，其特征在于，上述胶粘剂层的厚度为1～10μm，而且，所述切割用胶粘薄膜具有这样的粘贴温度，即将切割用胶粘薄膜粘贴在镜面状硅片上后在23℃、进行180°剥离(拉伸速度300mm/min)时的胶粘力达到10N/25mm以上。采用使用本发明的切割用胶粘薄膜的切割方法，半导体晶片等被切断体的成品率高，而且能够防止在切割时发生碎裂。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 胶粘 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种切割用胶粘薄膜，在基材薄膜上设置有胶粘剂层，其特征在于，所述胶粘剂层的厚度为1～10μm，而且，所述切割用胶粘薄膜具有这样的粘贴温度，即在将切割用胶粘薄膜粘贴在镜面状硅片上后在23℃进行180°剥离(拉伸速度300mm/min)时的胶粘力达到10N/25mm以上。
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