[发明专利]晶片的形状评价方法及晶片以及晶片的拣选方法有效
| 申请号： | 02814731.6 | 申请日： | 2002-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1535476A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 小林诚;小林修一 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 罗亚川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是要提供一种从与习知的SFQR等不同的观点来评价晶片的形状质量所用的晶片的形状评价方法及在曝光装置产生问题少的晶片，以及可拣选具有良好质量的晶片的拣选方法。为此，本发明乃作成以规定角度间隔从晶片中心部直至边缘部求出遍及晶片全周的多个晶片形状轮廓(形状)，且设定要算出在各每一轮廓的基准线用的第1区域于晶片中央侧，再在该第1区域外的晶片外周侧设定第2区域，并延长在该第1区域所算出的基准线直至该第2区域为止，以分析该第2区域形状(测定值)和在第2区域内的该基准线(基准值)的差(测定值—基准值)，而算出该值的最大值作为表面特性A及最小值作为表面特性B，并从该等遍及全周所获得的多个表面特性A及表面特性B来评价晶片的外周部分形状的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 形状 评价 方法 以及 拣选 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的形状评价方法，其特征为：以规定角度间隔从晶片中心部直至边缘部为止求出遍及晶片全周的多个晶片形状轮廓(形状)，且设定要算出在各每一轮廓的基准线用的第1区域于晶片中央侧，算出在该第1区域的基准线，再在该第1区域外的晶片外周侧设定第2区域，并延长在该第1区域所算出的基准线直至该第2区域为止，以分析该第2区域形状(测定值)和在第2区域内的该基准线(基准值)的差(测定值—基准值)，而算出该值的最大值表面特性A及最小值作为表面特性B并从这样的晶片的遍及全周所获得的多个表面特性A及表面特性B来评价晶片的外周部分形状的均匀性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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