[发明专利]改变浆料中氧化剂的浓度进行化学机械抛光(CMP)的方法无效

申请号：	02814331.0	申请日：	2002-06-10
公开（公告）号：	CN1531748A	公开（公告）日：	2004-09-22
发明（设计）人：	小戴维·W·哈卡特;约翰·茂特比斯;卡尔·E·茂茨	申请（专利权）人：	摩托罗拉公司
主分类号：	H01L21/321	分类号：	H01L21/321
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	王永刚
地址：	美国伊***	国省代码：	美国;US
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摘要：	通过改变抛光端处的氧化剂的浓度来修正在基片(150)的表面处对金属膜(155)的化学机械抛光(CMP)，将浆料前体(201)与氧化剂(202)混合以提供预定氧化剂浓度的浆料(200)，并将所述浆料提供到CMP垫(140)从而对所述膜以预定抛光速率进行抛光。由于减小了抛光速率，因而增强了终止点控制。通过加入另外的氧化或还原剂来变化所述浓度。
搜索关键词：	改变浆料氧化剂浓度进行化学机械抛光 cmp 方法
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【主权项】：

1.一种用于对金属膜(155)进行化学机械抛光(CMP)的方法，该方法通过使用带有CMP垫(140)的CMP处理工具(100)在基片(150)的表面处进行，所述方法包括以下步骤：(a)将浆料前体(201)与氧化剂(202)混合，以提供预定药剂浓度的浆料(200)；(b)向所述CMP垫(140)提供所述浆料(200)，从而按预定抛光速率对所述金属膜(155)进行抛光；以及(c)改变所述药剂浓度，以变更所述抛光速率。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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