[发明专利]控制单晶片清洗系统的电化腐蚀效应的设备和方法有效
| 申请号： | 02814102.4 | 申请日： | 2002-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1568536A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 约翰·M·博伊德;麦克·拉夫金;卡特里娜·A·米哈里奇 | 申请（专利权）人： | 拉姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种控制单晶片清洗系统的电化腐蚀作用的设备及方法。在一个实施例中，提供了一种单晶片清洗系统中将电化腐蚀效应减至最小的方法。此方法首先在晶片表面上施用含有腐蚀抑制剂的清洗化学制剂。而后，将晶片表面暴露于清洗化学制剂一段时间。接下来，更新清洗化学制剂及晶片表面的界面处的浓度梯度。而后，同时施用清洗剂及干燥剂以去除清洗化学制剂。其中在腐蚀抑制剂浓度被稀释至不足以提供腐蚀保护之前，干燥剂使晶片表面干燥。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 晶片 清洗 系统 电化 腐蚀 效应 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在单晶片清洗系统中将电化腐蚀作用减至最小的方法，该方法包括以下步骤：在晶片表面上施用含有腐蚀抑制剂的清洗化学制剂；使晶片表面暴露于清洗化学制剂一段时间；更新清洗化学制剂及晶片表面的界面处的浓度梯度；及同时施用清洗剂及干燥剂以去除清洗化学制剂，其中在腐蚀抑制剂的浓度稀释至不足以提供腐蚀保护的水平之前，干燥剂使晶片表面干燥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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