[发明专利]硅基介质隧穿发射器无效
| 申请号： | 02813306.4 | 申请日： | 2002-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1522454A | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 陈之章;M·D·比斯;R·L·恩克;M·J·雷甘;T·诺维特;P·J·本宁 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | H01J1/312 | 分类号： | H01J1/312;H01J9/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种发射器(50，100)具有电子源层(10)和形成在电子源层(10)上的硅基介质层(20)。此硅基介质层(20)最好小于大约500。绝缘层(78)可选地形成在电子源层(10)上，并具有确定在其中的窗口，其中形成硅基介质层(20)。阴极层(14)被形成在硅基介质层(20)上，以便提供电子(16)和/或光子(18)的能量发射(22)的表面。最好对发射器(50，100)进行退火工艺(120，122)，从而提高从电子源层(10)隧穿到阴极层(14)的电子(16)的供应。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 发射器 | ||
【主权项】：
1.一种发射器(50，100)，它包含：电子源(10)；排列在电子源上的硅基介质层(20)；以及排列在硅基介质层上的阴极层(14)；其中，电子源、硅基介质层、以及阴极层，已经经受了退火工艺(120，122)。
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