[发明专利]碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 02813193.2 | 申请日： | 2002-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1522471A | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | D·阿洛克 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 崔幼平;郑建晖 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种肖特基势垒二极管及其制造过程。这种过程在碳化硅晶片上的掩蔽区域中形成一金属接触图案。一个优选实施例包括一个在掩模的窗口中蚀刻的绝缘层。一个惰性边缘末端在氧化层下方邻近金属接触部分的位置处注入晶片中以便改进可靠性。还可以加入另一个氧化物层以便改进表面对物理损坏的抵抗力。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 肖特基势垒二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在SiC晶片上制作肖特基势垒二极管的方法，包括以下步骤：(a)将一个具有窗口的掩模安放于SiC晶片的表面上；(b)将导电材料沉积于掩模和晶片表面的露出部分上；(c)剥落掩模以便留下沉积于晶片表面的部分上的导电材料；以及(d)将一边缘末端层注入晶片至其表面下方但是不在导电材料下方。
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