[发明专利]形成最小间隔磁随机存取存储器结构的改进方法

摘要

本发明公开了一种形成最小间隔MRAM结构的方法。采用光刻方法作出掩模图案，然后在该图案侧壁上形成隔离层以减小任何两个相邻掩模图案之间的距离。接着用填充材料填入掩模图案周围的间隔形成填料塞。利用填料塞作为硬掩模来除去掩模图案和隔离层。然后形成MRAM结构的数字线和字线。

主权项

1.一种形成至少一个磁随机存取存储器单元的方法，包括：在衬底上形成一绝缘层；在该绝缘层上形成一掩模层，所述掩膜层具有由包含掩模材料的多个第一区域和不含掩模材料的多个第二区域形成的图案，所述第二区域处于相邻的第一区域之间，且在所述第一区域间具有预定的宽度；通过在每个第一区域侧壁上形成多个隔离层来减小该第二区域的所述预定宽度；用填充材料填充所述宽度已减小的第二区域以形成填料塞；利用所述填料塞作为掩模除去所述第一区域和隔离层；利用所述填料塞作为掩模在绝缘层内形成多个槽；在槽内形成相应的导电层；分别在所述导电层上形成至少一个第一磁性层。