[发明专利]光电子器件集成有效
| 申请号: | 02813089.8 | 申请日: | 2002-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN1522459A | 公开(公告)日: | 2004-08-18 |
| 发明(设计)人: | 格雷格·杜德夫;约翰·特雷泽 | 申请(专利权)人: | 美莎诺普有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L27/15 |
| 代理公司: | 上海市华诚律师事务所 | 代理人: | 傅强国 |
| 地址: | 美国新罕*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 描述了一种将芯片和顶面光学芯片集成在一起的方法。顶面光学芯片至少有一个光学器件,该器件有一个包括一个光学活性区域的活性面,一个有一定高度的激光器腔,一个光学非活性区域,一个和活性面相对的键合面和一个器件厚度。该方法包括,将光学芯片键合到电子芯片上;施加一个衬底到活性面上,该衬底有一个在活性区域上面的在一个第一数量和一个第二数量之间的衬底厚度,和施加一个抗反射涂层,在施加抗反射涂层时不需形成特殊的图形或在至少一个的光学激光器器件和其他器件之间进行区别。 | ||
| 搜索关键词: | 光电子 器件 集成 | ||
【主权项】:
1.一种将一个芯片和一个顶面活性光学芯片集成在一起的方法,该顶面活性光学芯片至少包括一个光学激光器器件,该器件具有一个包括一个光学活性区域的活性面,一个有一定高度的激光器腔,一个光学非活性区域,一个和活性面相对的键合面和一个器件厚度,该方法包括:将光学芯片键合到电子芯片;施加一个衬底到活性面,该衬底在活性区域上面有一个在一个第一数量和一个第二数量之间的范围内的衬底厚度,该第一数量在一个最小激光发射厚度和约十倍于激光器腔高度之间,该第二数量约100微米;和施加一个抗反射涂层,在施加抗反射涂层时不需形成特殊的图形或在该至少一个光学激光器器件和任何其他器件之间进行区别。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





