[发明专利]用于改进碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管中反向层迁移率的方法无效
| 申请号： | 02812925.3 | 申请日： | 2002-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1531744A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | R·埃格洛夫;S·穆克赫耶;D·阿洛克;E·阿诺 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 栾本生;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种用于改进碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的反向层迁移率的方法。特别地，本发明提供一种用于将氧化层施加到碳化硅衬底上的方法，以使得所得到的SiC MOSFET的氧化物衬底界面被改进。本方法包括在存在金属杂质的情况下形成氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改进 碳化硅 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 反向 迁移率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于改进碳化硅金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)[10]中的反向层迁移率的方法，包括以下步骤：提供碳化硅衬底[12]；和在存在金属杂质的情况下，在碳化硅衬底[12]的表面上形成氧化层[14]。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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