[发明专利]用于制造二元光掩模坯料的离子束沉积方法无效
| 申请号： | 02812375.1 | 申请日： | 2002-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1520533A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 彼得·弗朗西斯·卡西亚;劳伦特·戴乌 | 申请（专利权）人： | 纳幕尔杜邦公司 |
| 主分类号： | G03F1/08 | 分类号： | G03F1/08;C03C17/34;C23C14/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周慧敏;马崇德 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种离子束薄膜沉积方法，用于制造选定光刻波长＜400nm的二元光掩模毛坯，所述薄膜基本由MOxCyNz化合物以单层或多层结构组成，其中M选自铬、钼、钨或钽或其组合。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 二元 光掩模 坯料 离子束 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双离子束沉积方法，用于制备光刻波长小于400纳米的二元光掩模毛坯，该方法包括在基底上沉积至少一层MOxCyNz化合物，其中，M选自铬、钼、钨或钽或其组合；(a)用来自一组气体的离子通过铬、钼、钨、或钽和/或其化合物的离子束沉积，和(b)通过用来自一组气体的辅助源的二次离子束轰击所述基底，其中所述层或多个层通过来自辅助源气体的轰击气体离子与从靶或多种靶沉积在基底上的材料的化学结合而形成；其中：x为约0.00-约3.00；y为约0.00-约1.00；z为约0.00-约2.00。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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