[发明专利]双掩模沟槽肖特基二极管

摘要

一种肖特基整流器，包括半导体结构，该半导体结构具有第一和第二相对表面(分别是12a和12b)，每个表面均延伸以限定形成有源半导体区(5)和终止半导体区(10)。所述结构包括分别邻近第一表面和第二表面的第一导电类型的阴极区(12c)和漂移区(12d)。所述漂移区的净掺杂浓度低于所述阴极区的静掺杂浓度；多个沟槽(30)从第二表面延伸进半导体结构，并且限定形成多个位于半导体结构内的台面(14)。至少一个沟槽位于所述有源和终止半导体区的每一个中。第一绝缘区(16)邻近位于所述多个沟槽中的半导体结构设置。第二绝缘区(45)将所述有源半导体区与所述终止半导体区电隔离。阳极电极(18)邻近并形成肖特基整流接面，该整流接面在第二表面处与所述结构接触，并且邻近位于沟槽中的第一绝缘区。阳极电极将多个沟槽电连接在一起。

主权项

1.一种肖特基整流器，包括：半导体结构，该半导体结构具有第一和第二相对表面，每个表面均延伸以限定形成有源半导体区和终止半导体区，所述半导体结构包括一个邻近第一表面的第一导电类型的阴极区和一个邻近第二表面的所述第一导电类型的漂移区，所述漂移区的净掺杂浓度低于所述阴极区的静掺杂浓度；多个沟槽，这些沟槽从所述第二表面延伸进所述半导体结构，并且限定形成多个位于所述半导体结构内的台面，至少一个所述沟槽位于所述有源和所述终止半导体区的每一个中；第一绝缘区，该绝缘区邻近位于所述多个沟槽中的所述半导体结构；第二绝缘区，该绝缘区将所述有源半导体区与所述终止半导体区电隔离；以及阳极电极，该阳极电极是(a)邻近并形成肖特基整流接面，该整流接面在所述第二表面处与所述半导体结构接触，并且(b)邻近位于所述沟槽中的所述第一绝缘区，所述阳极电极将所述多个沟槽电连接在一起。