[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02809660.6 | 申请日： | 2002-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN1507662A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 齐藤幸重;黄俐昭;李锺昱;武村久 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/76 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一种制造半导体器件的方法包括：(a)在提供在绝缘膜12上的半导体层13上顺序形成栅绝缘膜14、第一导电层15和第一绝缘膜16；(b)有选择地除去所述半导体层、所述栅绝缘膜、所述第一导电层和所述第一绝缘膜，以形成器件隔离沟槽；(c)在所述器件隔离沟槽内形成第二绝缘膜17，在该沟槽内，所述第二绝缘膜的上表面高度与所述第一绝缘膜的上表面高度基本相同；(d)除去部分所述第二绝缘膜和所述第一绝缘膜，使暴露的第一导电层的上表面高度与第二绝缘膜的顶表面高度基本相同；以及(e)对所述第一导电层进行图形生成，以形成栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：(a)在提供在绝缘膜上的半导体层上顺序形成栅绝缘膜、第一导电层和第一绝缘膜；(b)有选择地除去所述半导体层、所述栅绝缘膜、所述第一导电层和所述第一绝缘膜，以形成器件隔离沟槽；(c)在所述器件隔离沟槽内形成第二绝缘膜，其中所述第二绝缘膜的上表面的高度与所述第一绝缘膜的上表面的高度基本相同；(d)除去一部分所述第二绝缘膜和所述第一绝缘膜，使得暴露的第一导电层的上表面的高度与第二绝缘膜的顶表面的高度基本相同；以及(e)对所述第一导电层进行图形生成，以形成栅电极。
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