[发明专利]真空等离子体处理器及其操作方法有效
| 申请号： | 02809654.1 | 申请日： | 2002-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1608317A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | G·恩尼斯 | 申请（专利权）人： | 拉姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 真空等离子体处理器包括形成等离子体处理器的底部电极或顶部电极的具有多个相互绝缘的电极的电极阵列。当电极阵列是底部电极的一部分时，阵列中的电极是响应于局部温度传感器的、热电的、Peltier效应型装置的部分以及是静电夹具的部分。热电装置控制工件的局部温度和钳位电压，所述钳位电压表示工件相对于包括电极的工件夹具的位置。把阵列中的电极耦合到电路，用于确定和/或控制在工件和/或等离子体的不同位置处的至少一个局部等离子体电参数。电路同时把具有不同频率日功率电平的RF功率提供给阵列中的不同电极，并包括连接到阵列中的不同电极的独立的匹配网络。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 等离子体 处理器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.在保持真空和供给电离而形成等离子体的处理气体的箱中，使工件保持在箱中的工件夹具上而用等离子体处理工件的一种方法，所述方法包括检测等离子体的不同局部部分的至少一个电特性，以及得到表示在等离子体的不同局部部分处检测到的至少一个电特性的信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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