[发明专利]排序二相介电薄膜及含有该膜的半导体器件有效
| 申请号： | 02809206.6 | 申请日： | 2002-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1650406A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·M.·盖茨;克里斯托弗·B.·默里;赛特亚纳瑞亚纳·V.·尼塔;森帕斯·普鲁索萨门 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C04B38/00;C04B41/45 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了具有优良机械特性的多孔，低－K介电薄膜和制备此薄膜的方法，以及作金属布线特征间介电层的此薄膜的用法。该多孔，低－K介电薄膜包括直径为约1至约10nm，基本均匀分开放置且基本位于三维周期晶格上的单分散孔的第一相；和为包围第一相实心体的第二相。特别是，此薄膜的第二相包括(i)由直径约1至约10nm，基本均匀分开放置且基本布置在三维周期晶格上的纳米微粒组成的排序单元，以及(ii)由介电常数约2.8或更小的介电材料组成的未排序单元。 | ||
| 搜索关键词： | 排序 二相介电 薄膜 含有 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种多孔，低-K介电薄膜，包括：直径为约1至约10nm，基本均匀分开放置并基本位于三维周期晶格位置上的单分散孔构成的第一相；以及包围所述第一相的第二相，其中所述第二相为实心相，它包括(i)由直径约1至约10nm，基本均匀分开放置且基本放置于三维周期晶格位置上的纳米微粒构成的排序单元，以及(ii)由介电常数小于约2.8的介电材料构成的非排序单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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