[发明专利]2F2存储器件的系统和方法

摘要

公开了一种用于存储器件的方法和器件，所述存储器件具有减小了的存储单元的外形尺寸平方。这种外形尺寸平方可以允许将类似于吉字节或更大容量的存储器件制造在一个芯片或管芯上。所公开的方法和器件连同它们的变化，相对于其它仅在两维中制造的存储器件来说，利用了三维的方法。由此，所公开的方法和器件连同其变化包括水平和垂直组件。

主权项

1、一种具有小于4F2外形尺寸平方的存储单元，所述存储单元包括：源极；在所述源极上方形成的大体垂直的沟道；在所述垂直沟道的上方形成的漏极；以及在所述漏极的至少一部分的上方形成的大体水平的浮动栅，其中所述存储单元的外形尺寸不大于2F2。