[发明专利]积体磁阻半导体记忆排列无效
| 申请号： | 02808151.X | 申请日： | 2002-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1502136A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | P·维茨 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;//G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明系关于一种积体磁阻半导体记忆排列，其中该MRAM记忆胞元(10)系位于埋入不同的，互相分离的线平面(1，2)之选择线(5，6)之交叉点上，且其中一读取/写入电流为了写入每一MRAM记忆胞元(10)及为了读取被写入其中之信息项目而被施加。在此积体磁阻半导体记忆排列中，用以读取一胞元信息项目之该选择线(5，6)系位于直接与该记忆胞元(10)接触之分离的第一及第二线平面(1，2)，且由写入一胞元信息项目用之写入选择线(7，8)所占用之一第三及第四线平面(3，4)与该第一及第二线平面(3，4)空间分离及电性隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 半导体 记忆 排列 | ||
【主权项】：
1.一种积体磁阻半导体记忆排列(MRAM)，其中，该MRAM记忆胞元(10)系位于埋入不同的，互相分离的线平面(1，2)之选择线(5，6)之交叉点上，且其中一读取/写入电流为了写入每一MRAM记忆胞元(10)及为了读取被写入其中之信息项目而被施加，用以读取一胞元信息项目之该选择线(5，6)系位于直接与该记忆胞元(10)接触之分离的第一及第二线平面(1，2)，提供一第三线平面(3，4)，其与该第一及第二线平面(3，4)空间分离及电性隔离，并且由写入一胞元信息项目用之写入选择线(7，8)所占用，以及提供与该第一，第二及第三线平面分离及电性隔离并由写入选择线(8)占用之一额外的第四线平面(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
