[发明专利]半导体存储器有效
| 申请号： | 02807916.7 | 申请日： | 2002-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1502109A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 高桥弘行;稻叶秀雄;中川敦 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种在备用模式中能有效地降低伴随自更新操作的电流消耗的半导体存储器。在备用模式下的更新操作中，在更新控制电路8B的控制下，第一能抑制为放大位线上显示的数据信号设置的读出放大器(70A～70D)的电流驱动能力；第二能扩展规定字线WL选择期间的行使能信号RE的脉冲宽度；第三基于脉冲宽度扩展的上述行使能信号RE，并行激活多根字线。这样能减少与更新操作有关的电路系统操作频率，能抑制电流消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，具有为维持存储而必须更新的多个存储单元，具备禁止从外部向存储单元读写数据的备用模式和可以从外部向存储单元读写数据的运行模式，包括有用于输出更新脉冲的自更新计时器电路，以使在上述运行模式下在第一周期进行自更新，在上述备用模式下在比上述第一周期长的第二周期进行自更新。
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