[发明专利]具有加倍数据传输速率的半导体存储器操作方法无效
| 申请号： | 02807876.4 | 申请日： | 2002-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1502108A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | R·凯塞;H·施奈德;F·沙姆伯格 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及具有加倍数据传输速率的半导体存储器操作方法。根据本发明，数据读取及写入存取被分为在两个存储器组进行。其中第一存储器组以相关于第二存储器组的操作时脉偏移0.5个时钟脉冲的时钟脉冲操作，并且在两个存储器组的输出端合并的部份数据流形成具有加倍频率的数据流。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 加倍 数据传输 速率 半导体 存储器 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作具有加倍数据传输速率的半导体存储器的方法，其特征在于：数据读取及写入存取被分在两个存储器组(10、11)进行，其中的第一存储器组(10)以相关于另一个、即第二存储器组(11)的操作时钟脉冲偏移半个时钟脉冲脉冲的时钟脉冲而操作，并且部份数据流在该两个存储器组(10、11)的输出端合并以形成具有加倍频率的数据流。
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