[发明专利]包含个别可寻址存储单元之存储单元阵列及其制造方法

摘要

一种存储单元阵列包括以二度空间阵列排列的许多内存晶体管(1、2、3、4)，每一个内存晶体管具放置于存储单元阵列的第一个方向的两个源极/汲极区域(14a、14b、14c、14d)，此两个源极/汲极区域间有信道基材区域(18)，及在信道基材区域(28)上方排列有闸极结构(20)。该源极/汲极区域(14a、14b、14c、14d)及信道基材区域(18)系形成于放置在绝缘层(12)上的基材(16)，且内存晶体管的信道基材区域(18)在第一个方向彼此相邻且由向下延伸至该绝缘层(12)的对应源极/汲极区域彼此分隔。内存晶体管的该源极/汲极区域(14a、14b、14c、14d)及该信道基材区域(18)在该存储单元阵列的第二个方向彼此相邻且进一步由以绝缘材料填充及于基材(16)形成的沟槽(30)彼此分隔以向下延伸至该绝缘层(12)。

主权项

1.一种存储单元阵列，其包括：以二度空间排列的许多内存晶体管(1、2、3、4)，每一个内存晶体管(1、2、3、4)具放置于存储单元阵列的第一个方向的两个源极/汲极区域(14a、14b、14c、14d)，此两个源极/汲极区域间有信道基材区域(18)，及在信道基材区域(18)上方排列有闸极结构(20)，该源极/汲极区域(14a、14b、14c、14d)及信道基材区域(18)系形成于放置在绝缘层(12)上的基材(16)，且内存晶体管的信道基材区域(18)在第一个方向彼此相邻且由向下延伸至该绝缘层(12)的对应源极/汲极区域彼此分隔，其特征在于内存晶体管的该源极/汲极区域(14a、14b、14c、14d)及信道基材区域(18)在该存储单元阵列的第二个方向彼此相邻且由以绝缘材料填充及于基材(16)形成的沟槽(30)彼此分隔以向下延伸至该绝缘层(12)。