[发明专利]半导体芯片的制造方法无效
| 申请号： | 02806349.X | 申请日： | 2002-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1496580A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 关家一马 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 何腾云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了制造无切削变形层与破片、抗弯强度足够高的半导体芯片，在表面由线痕划分出多个电路形成的半导体单晶片W被分割成一个个电路的半导体芯片的情况下，于半导体单晶片W的表面侧形成切削余部(20)地形成从线痕的背面不到达表面的切削沟(19a)之后，从背面进行腐蚀，对背面、切削沟的侧面与切削余部(20)进行腐蚀，分割成一个个半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片的制造方法，将在表面由线痕划分形成多个电路的半导体单晶片分割成一个个电路的半导体芯片，其特征在于，至少由切削沟形成工序与腐蚀工序构成；所述切削沟形成工序是在半导体单晶片的表面侧形成切削余部地形成从线痕的背面不到达该表面的切削沟；所述腐蚀工序是从该背面进行腐蚀，对该背面、该切削沟的侧面及该切削余部进行腐蚀、分割成一个个半导体芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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