[发明专利]在圆片和仪器上形成半导体器件的光刻方法

摘要

利用光刻技术在圆片上形成半导体器件的方法包括以下几个步骤：在涂敷装置(5)内的所述圆片上涂上(13)一层光刻涂层；在曝光工具(4)中，透过标度线照射对所述圆片进行曝光(14)；稳固(15)所述光刻涂层以激活化学反应，并在显影装置(6)中的所述预设区域内冲洗所述光刻涂层以显出圆片表面的预设光刻涂层图案；在稳固装置(7)内稳固(16)光刻涂层以加固圆片表面的所述图案；在测量工具中对所述圆片表面的光刻涂层图案进行(17)测量检测；在处理单元(9)中对所述圆片进行蚀刻、湿制程或离子注入(18)，其中，在冲洗和热烘所述光刻涂层之后，与所述稳固装置(7)相邻的原子显微检测模块(11)上的原子显微镜立即进行所述测量检测。

主权项

1.一种在圆片上形成至少一个半导体器件的光刻方法，其包括以下步骤：在涂敷装置内的所述圆片上涂上一层光刻涂层；在曝光工具中，透过标度线照射所述圆片进行曝光；稳固所述光刻涂层以激活化学反应并且在显影装置中的所述预设区域内冲洗所述光刻涂层以显露出所述圆片表面的预设的光刻涂层图案；在稳固装置内稳固所述光刻涂层以加固所述圆片表面的所述图案；在测量工具中对所述圆片表面的所述光刻涂层图案进行测量检测；在处理单元中对所述圆片进行蚀刻、湿制程或离子注入；其中所述测量检测在冲洗和热烘所述光刻涂层之后立即由与所述稳固装置相邻的原子显微镜检测模块上的原子显微镜执行。