[发明专利]具ESD保护之半导体组体无效
申请号: | 02803933.5 | 申请日: | 2002-01-21 |
公开(公告)号: | CN1488171A | 公开(公告)日: | 2004-04-07 |
发明(设计)人: | M·特鲁斯特 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术股份公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正;张志醒 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体组件,具有ESD保护组件(32,33),其被设置于半导体基体(1)之外部并连接一额外导体轨迹(3),承载一参考电位(GDN),至该连结架构之导体轨迹(14,15)。不再需要集积于半导体基体(1)中之ESD保护结构;可以避免相对应的高区域消耗。 | ||
搜索关键词: | esd 保护 半导体 | ||
【主权项】:
1.一种半导体组件,包括一半导体基体(1),于其中设置具有被处理之讯号(DQ1)用之一端点(11)的电子电路(13)且该电子电路之一输入级或一输出级(13)连接至该端点,并具有一供应电位GND用之一端点(12),且该输入级(13)或输出级连接至该端点,在每一情况中被指派给该端点(11,12)之一之一导体轨迹(15,16)行进至该半导体基体(1)外部并连接至个别指派的端点(11,12),一组件(32)用以取走静电放电,藉由该组件使将被处理的讯号(DQ1)可被取走至供应电位(GND),特征在于提供另一导体轨迹(3),其走向该半导体基体(1)之外部并被连接至指派给该供应电位之端点(12)之导体轨迹(16),且其中用以取走静电电荷之该组件(32)被设置于该半导体基体(1)之外部,且每一者一方面在半导体基体(1)外部连接至该另一导体轨迹(3),另一方面连接至指派给将被处理之讯号(dq1)用之端点(11)的导体轨迹(15)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司,未经因芬尼昂技术股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02803933.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于旋转刻蚀平面化电子部件的平面化层及其使用方法
- 下一篇:半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的