[发明专利]具ESD保护之半导体组体无效

专利信息
申请号: 02803933.5 申请日: 2002-01-21
公开(公告)号: CN1488171A 公开(公告)日: 2004-04-07
发明(设计)人: M·特鲁斯特 申请(专利权)人: 因芬尼昂技术股份公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 程天正;张志醒
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 一种半导体组件,具有ESD保护组件(32,33),其被设置于半导体基体(1)之外部并连接一额外导体轨迹(3),承载一参考电位(GDN),至该连结架构之导体轨迹(14,15)。不再需要集积于半导体基体(1)中之ESD保护结构;可以避免相对应的高区域消耗。
搜索关键词: esd 保护 半导体
【主权项】:
1.一种半导体组件,包括一半导体基体(1),于其中设置具有被处理之讯号(DQ1)用之一端点(11)的电子电路(13)且该电子电路之一输入级或一输出级(13)连接至该端点,并具有一供应电位GND用之一端点(12),且该输入级(13)或输出级连接至该端点,在每一情况中被指派给该端点(11,12)之一之一导体轨迹(15,16)行进至该半导体基体(1)外部并连接至个别指派的端点(11,12),一组件(32)用以取走静电放电,藉由该组件使将被处理的讯号(DQ1)可被取走至供应电位(GND),特征在于提供另一导体轨迹(3),其走向该半导体基体(1)之外部并被连接至指派给该供应电位之端点(12)之导体轨迹(16),且其中用以取走静电电荷之该组件(32)被设置于该半导体基体(1)之外部,且每一者一方面在半导体基体(1)外部连接至该另一导体轨迹(3),另一方面连接至指派给将被处理之讯号(dq1)用之端点(11)的导体轨迹(15)。
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