[发明专利]III族氮化物半导体器件有效
| 申请号： | 02803753.7 | 申请日： | 2002-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1486513A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 千代敏明;伊藤润;柴田直树 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/203;H01L21/205;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈长会 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在本发明中，用(Ti1－xAx)N(其中，A是选自Al、Ga和In中的至少一种金属)作为金属氮化物层，以在金属氮化物层上形成III族氮化物半导体层。当在具有足够厚度的金属氮化物层和衬底之间形成钛层和除去钛层时，可以得到用金属氮化物作为衬底的III族氮化物半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种III族氮化物半导体器件，其包括：由(Ti1-XAX)N制成的金属氮化物层，其中，A是选自A1、Ga和In中的至少一种金属；和形成在所说的金属氮化物层上的III族氮化物半导体层。
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