[发明专利]铌粉、铌烧结体、铌烧结体的化学改性体以及使用它们的电容器有效
| 申请号： | 02803672.7 | 申请日： | 2002-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN1486498A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 河边功;内藤一美 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/052 | 分类号： | H01G9/052;H01G9/04;H01G9/028;H01G9/032;H01G9/035 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;刘金辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种将从铌粒子的表面至深度50～200nm的层的平均氮浓度控制为0.29～4质量％、进一步优选至深度50nm的层的氮浓度控制为0.19～1质量％的，可提供泄漏电流值小的电容器用铌粉、铌烧结体、铌烧结体的化学改性体以及使用它们的电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 铌粉 烧结 化学 改性 以及 使用 它们 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种含有氮的电容器用铌粉，其特征在于，从铌粉粒子表面到深度50～200nm的平均氮浓度为0.29～4质量％。
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