[发明专利]陶瓷电子元件的制造方法和制造设备无效
| 申请号: | 02803547.X | 申请日: | 2002-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN1484841A | 公开(公告)日: | 2004-03-24 |
| 发明(设计)人: | 谷井晋;坂口佳也;山崎三浩;北町亨 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李德山 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 在通过向陶瓷堆体施加压力以形成覆层的步骤中(在框架被刺进堆体并保持在那里的同时),堆体被位于框架内的压力施加构件施压。根据此方法,在与堆体表面平行的方向上无变形产生。因此,不会产生导电层由于应力而产生变形之类的问题,因而产生具有优良密实结构的堆体,并且当堆体被烧结时,由上述构造形成的陶瓷电子元件不会出现连接缺陷,结构缺陷和电性能失效,具有良好的成品率。另外,通过在对堆体施压时加热堆体,在降低压力的条件下形成密实堆体。此外,通过为压力施加构件提供弹性体,堆体被均匀施压。并且通过在向堆体施压时降低堆体的空气压力,堆体中的气体被排除以允许减少施压时间。 | ||
| 搜索关键词: | 陶瓷 电子元件 制造 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.陶瓷电子元件的制造方法,包括下列步骤:将框架刺进堆体,其中堆体是通过在彼此上方堆叠生陶瓷片和导电层而形成的;和通过位于所述框架内的压力施加构件向所述堆体施压来形成高密度结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02803547.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多层阵列电容及其制作方法
- 下一篇:钽烧结体和使用该烧结体的电容器





