[发明专利]氮化物半导体元件有效
| 申请号： | 02803502.X | 申请日： | 2002-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1484880A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 柳本友弥 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件，含有具有量子阱结构的活性层，该活性层含有阱层和阻挡层并且由第一导电型层与第二导电型层夹持，其特征在于，在所述活性层内至少夹持一层阱层，在所述第一导电型层侧设置第一阻挡层，在所述第二导电型层侧设置第二阻挡层，同时，第二阻挡层的带隙能量小于第一阻挡层，阻挡层为非对称。更优选通过在第二到导电型层内设置带隙能量大于第一阻挡层的载流子束缚层，在夹持活性层的各导电型层上设置与活性层的非对称结构相反的频带结构。由此，在所得的半导体元件、尤其是利用氮化物半导体的发光元件、激光元件中，可以实现在380nm或以下波长区域内发光效率优良的活性层以及元件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，具有井层和阻挡层的量子阱结构的活性层，被第一导电型层和第二导电型层夹持，其特征在于，在所述活性层内至少夹持一层阱层，在所述第一导电型层侧设置第一阻挡层、在所述第二导电型层侧设置第二阻挡层，同时第二阻挡层的带隙能量小于第一阻挡层。
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