[发明专利]铁电存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02803498.8 | 申请日： | 2002-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN1484858A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 名取荣治;木岛健 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 钟守期;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 铁电存储装置包括第1电极102、在与第1电极(102)交叉的方向排列的第2电极(103)、至少配置于第1电极(102)和第2电极(103)的交叉区域的铁电体膜(101)。采用第1电极(102)、铁电体膜(101)及第2电极(103)构成的电容器呈矩阵状配置。铁电体膜(101)是铁电相和顺电相混合存在而构成的。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电存储装置，是包括第1电极、在与上述第1电极交叉的方向排列的第2电极、至少配置于上述第1电极和上述第2电极的交叉区域的铁电体膜，采用上述第1电极、上述铁电体膜以及上述第2电极构成的电容器呈矩阵状配置的铁电存储装置，上述铁电体膜是铁电相和顺电相混合存在而成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
