[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 02803195.4 | 申请日： | 2002-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1488172A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 新田哲也;凑忠玄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置，在半导体衬底(1)内，有反复重复地构成互相连接形成pn结的n型扩散区(3)和p型扩散区(4)被槽(1a)夹在中间的单元结构，给各单元结构内的n型扩散区(3)的杂质量和p型扩散区(4)的杂质量被设定得不等(不同)。因此，在有槽(1a)的半导体装置中能兼顾良好的耐压和雪崩破坏承受能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，它是在第一导电型的半导体衬底(1)内，有反复重复地构成的以下结构：互相连接形成pn结的第一导电型的第一杂质区(3)和第二导电型的第二杂质区(4)被槽(1a)夹在中间的单元结构，其特征在于：各上述单元结构内的上述第一杂质区(3)的杂质量和上述第二杂质区(4)的杂质量不等。
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