[发明专利]多孔氮化硅陶瓷及其生产方法无效
| 申请号： | 02802876.7 | 申请日： | 2002-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1473140A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 宫永伦正;小村修 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具有均匀，细闭孔的多孔氮化硅陶瓷和其制造方法。金属Si粉末与烧结添加剂混合，随后热处理，这是一种用于形成特定晶粒边界相的预工艺。然后通过在1000℃或更多的温度下微波加热而进行二步热处理。金属Si粉末然后从其表面进行氮化反应，金属Si随后扩散到在金属Si的外壳上形成的氮化物，这样可得到具有均匀，细闭孔的多孔氮化硅陶瓷。因为本发明多孔氮化硅陶瓷具有高闭孔比率并具有优异的电/机械特性，如果它们例如用作需要抗吸湿性，低介电常数，低介电损耗，和机械强度的电子电路板，可以显示出优异的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 氮化 陶瓷 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.多孔氮化硅陶瓷，其中相对密度低于70％，和闭孔与所有孔的比率是50％或更多。
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