[发明专利]用于第Ⅲ族氮化物化合物半导体器件的n－电极有效
| 申请号： | 02802830.9 | 申请日： | 2002-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1473356A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 村井俊介;村上正纪;小出康夫;柴田直树 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/80;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春琦 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于使n－电极和由第III族氮化物化合物半导体形成的n－型层之间的电阻极大地减少。根据本发明，n－电极是由下列电极材料形成的：第一电极材料，由至少一种选自钒(V)、钛(Ti)、锆(Zr)、和钨(W)的金属构成；第二电极材料，由至少一种选自钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)和铜(Cu)的金属构成；和第三电极材料，由至少一种选自铝(Al)、硅(Si)和锗(Ge)的金属构成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氮化物 化合物 半导体器件 电极 | ||
【主权项】：
1.一种用于第III族氮化物化合物半导体器件的n-电极，其包含：第一电极材料，由至少一种选自钒、钛、锆和钨的金属构成；第二电极材料，由至少一种选自钯、铂、金、银和铜的金属构成；第三电极材料，由至少一种选自铝、硅和锗的金属构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
