[发明专利]用于P－型SiC的电极无效
| 申请号： | 02802829.5 | 申请日： | 2002-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1473355A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 中琢理;小西亮平;安河内隆一;小出康夫;村上正纪;柴田直树 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/80;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春琦 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供一种用于p－型SiC的电极，它能够提供改良的表面形态和减少由于电极的形成而产生的对半导体晶层的热损害。本发明中制造的p－型电极包含选自镍(Ni)、钴(Co)、钯(Pd)和铂(Pt)中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 sic 电极 | ||
【主权项】：
1.一种用于p-型SiC的电极，其包含选自镍(Ni)、钴(Co)、钯(Pd)和铂(Pt)中至少之一的第一电极材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田合成株式会社，未经丰田合成株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02802829.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基片缺陷修补装置
- 下一篇：用于第Ⅲ族氮化物化合物半导体器件的n－电极
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
