[发明专利]氮化物半导体激光器无效
| 申请号： | 02802449.4 | 申请日： | 2002-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1465123A | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 冨谷茂隆;日野智公 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邸万奎;黄小临 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体激光器，具有平坦劈开端面，并且可以抑制操作期间所产生的激光器端面的破坏，从而延长使用寿命，并且包括在活性层与覆盖层之间提供的压力集中抑制层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体激光器，其特征在于，在活性层和覆盖层之间具有压力集中抑制层。
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