[发明专利]一羟基芳族化合物的二聚体的制备方法无效
| 申请号： | 02802115.0 | 申请日： | 2002-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1463264A | 公开（公告）日： | 2003-12-24 |
| 发明（设计）人： | 上野隆三;北山雅也;南宪次;若森浩之;H·平井 | 申请（专利权）人： | 株式会社上野制药应用研究所 |
| 主分类号： | C07C39/12 | 分类号： | C07C39/12;C07C37/11;C07C49/653;C07C49/683;C07C45/32;C07C67/343;C07C69/94;C07C231/12;C07C235/66;C07C273/18;C07C275/54;C07D307/52;C07B37/04;C07B41/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 庞立志 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一羟基芳族化合物的二聚体的制备方法，其特征在于：在铜盐存在下，使下述通式[I]Ar－OH[I][式中Ar表示可具有取代基的芳族基团。]所示的芳族化合物在含氮极性溶剂中发生氧化偶合反应。通过本发明的方法，能以高收率得到一羟基芳族化合物的二聚体。 | ||
| 搜索关键词： | 羟基 化合物 二聚体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、下述通式[I]所示一羟基芳族化合物的二聚体的制备方法，Ar-OH[I][式中Ar表示可具有取代基的芳族基团]，其特征在于：在铜盐的存在下，使所述一羟基芳族化合物在含氮极性溶剂中发生氧化偶合反应。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社上野制药应用研究所，未经株式会社上野制药应用研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02802115.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有源阵列显示器的基底
- 下一篇：钓钩盒结构及其固定方法
