[发明专利]用于形成栅氧化物膜的硅化铪靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 02801192.9 | 申请日： | 2002-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN1461356A | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 入间田修一;铃木了 | 申请（专利权）人： | 株式会社日矿材料 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王维玉;丁业平 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及由HfSi0.05－0.37组成的用于形成栅氧化物膜的硅化铪靶材，所得到的硅化铪靶材的加工性能和耐脆化性能优良，并适合于形成可取代SiO2膜用作高介电栅绝缘膜的HfSiO膜和HfSiON膜，本发明也涉及靶材的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 氧化物 硅化铪靶材 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.用于形成栅氧化物膜的硅化铪靶材，其由HfSi0.05-0.37组成。
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