[发明专利]包括薄膜晶体管的电子器件及其制造无效
| 申请号： | 02800810.3 | 申请日： | 2002-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1460298A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | F·W·罗尔芬 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京,郑建晖 |
| 地址： | 荷兰艾恩*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在基片(4)例如玻璃或绝缘聚合物基片上制造薄膜晶体管(TFT)，薄膜晶体管用于有源矩阵液晶显示器或其他大面积的电子器件。形成薄膜晶体管的方法包括：在半导体膜(2)上淀积掩模层(8)，将掩模层(8)的某些部分除去以形成多个按照预先确定的尺寸和分布贯穿其中的孔。掩模层(8)有孔的部分(26，28)用于在掺杂剂注入步骤中部分地掩蔽半导体膜(2)，以形成场减低区(20，22)，同时确定源极和漏极区(16，18)。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 薄膜晶体管 电子器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造包括薄膜晶体管的电子器件的方法，包括如下步骤：(a)在绝缘基片上形成半导体膜；(b)在半导体膜上淀积第一掩模层并除去其某些部分，以形成多个从其上表面到下表面大致垂直贯穿的孔；(c)将第一掩模层图形化成第一图形；(d)在第一掩模层上淀积第二掩模层；(e)将第二掩模层图形化以确定第二图形，第二图形位于所述第一图形的区域内；(f)注入半导体膜，其中至少利用第一掩模层作为注入掩模，第一掩模的一部分至少确定有一些孔，该部分用来部分地掩蔽注入，从而所述注入确定了源极和漏极区，在源极和漏极区之间的不掺杂的导电沟道，和具有比导电沟道和漏极区之间漏极区低的掺杂浓度的场减低区。
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