[发明专利]全氟化碳的生产方法及其用途有效
| 申请号： | 02800404.3 | 申请日： | 2002-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1457332A | 公开（公告）日： | 2003-11-19 |
| 发明（设计）人： | 大野博基;大井敏夫 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C07C19/08 | 分类号： | C07C19/08;C07C17/10;C09K13/08;C23G5/028 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 隗永良,刘金辉 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明生产全氟化碳方法的特征在于，在通过有机化合物与氟气接触生产全氟化碳的过程中，有机化合物与氟气在200－500℃温度范围内接触，同时反应体系内的氧气含量被控制在基于反应原料中气体成分的2％(体积)或更低，因而生产出降低了杂质含量的全氟化碳。根据本发明生产全氟化碳的方法，可以得到极度抑制了例如含氧化合物等杂质产生的高纯度全氟化碳。通过本发明方法获得的全氟化碳基本不含有含氧化合物，因此可以在半导体装置生产方法中有效地用作蚀刻或清洁气体。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化 生产 方法 及其 用途 | ||
【主权项】：
1.一种生产全氟化碳的方法，包括，在以有机化合物和氟气为反应起始原料的生产全氟化碳的过程中，使所述有机化合物与所述氟气在200-500℃接触，同时将反应体系内的氧气含量控制在基于原料气体成分的2％(体积)或更低的范围内，生产降低了杂质含量的全氟化碳。
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