[实用新型]晶片热处理用的样品架无效
| 申请号： | 02284694.8 | 申请日： | 2002-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN2593359Y | 公开（公告）日： | 2003-12-17 |
| 发明（设计）人： | 赵有文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶片热处理用的样品架，包括：两个半圆形的端架，该端架的断面为矩形；四个框条，该框条的断面为矩形，该框条的两端分别与两个框架固定，且四个框条的端部均匀分布在半圆形的端架上；两横条，该横条固定在半圆形的端架的开口部。本实用新型具有结构合理，以及可使处理后的晶片的电学均匀性、表面的完整性提高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 热处理 样品 | ||
【主权项】：
1、一种晶片热处理用的样品架，其特征在于，包括：两个半圆形的端架，该端架的断面为矩形；四个框条，该框条的断面为矩形，该框条的两端分别与两个框架固定，且四个框条的端部均匀分布在半圆形的端架上；两横条，该横条固定在半圆形的端架的开口部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02284694.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
