[实用新型]基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器

摘要

本实用新型涉及一种基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器。它以硅为衬底，在其上有绝缘层，绝缘层上是掺杂的多晶硅或者金属层，并在其层中刻蚀出一个具有碳纳米管晶体管结构的台面；包括源极、漏极两个电极，和一个栅极，并在两个电极上设置一欧姆接触的单壁碳纳米管，栅极处在碳纳米管的一侧，和两个电极之间；第二根碳纳米管设置在栅极和源或漏极电极上，并在第二根碳纳米管上形成2个以上隧穿结结构，两个隧穿结之间形成量子点。存储器通过控制几十个甚至几个电子就可以实现存储器的正常工作，并且不受随机背景电荷的影响；该器件只具有两个电极引线，容易实现器件的高度集成和低功耗下信息的超高密度存储。

主权项

1.一种基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器，包括以硅为衬底，在其上氧化形成一个二氧化硅绝缘层，在绝缘层上制备出一层掺杂的多晶硅或者金属层，并在该多晶硅层或者是金属层中刻蚀出一个具有碳纳米管晶体管结构的台面；该碳纳米管晶体管结构包括源极、漏极两个电极，和一个栅极，并在两个电极上设置一欧姆接触的单壁碳纳米管，栅极处在碳纳米管的一侧，和两个电极之间；其特征在于：还包括第二根碳纳米管，该碳纳米管设置在栅极和源或漏极电极之中一根上，并在第二根碳纳米管上形成2个以上隧穿结结构，两个隧穿结之间形成量子点。