[发明专利]电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 02160883.0 | 申请日： | 2002-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1484293A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 申东旴;崔亨福 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/8242;H01L21/28;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件中的电容器及其制造方法，以保证电容量，而没有亚稳多晶硅晶粒生长过程中的合并现象。制作步骤开始于制作一个衬底。在衬底上形成一个层间介电层且将其蚀刻以形成导电插塞。然后，在整个表面上形成一个蚀刻阻挡层和一个牺牲绝缘层。利用牺牲绝缘层在导电插塞之上形成一个筒型第一电极。之后，在除其底部区域之外的第一电极内壁上形成第一亚稳多晶硅晶粒。但是，在该底部区域上形成小尺寸的第二亚稳多晶硅晶粒以增大第一电极的存储面积。最后，在第一电极上形成一个介电层和一个第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器制造方法，包括步骤：(a)在半导体衬底上形成一个牺牲绝缘层；(b)将牺牲绝缘层构图为预定的结构以得到开口；(c)在牺牲绝缘层和开口上形成一第一电极；(d)在第一电极的顶面上形成一个晶粒生长阻止层；(e)将晶粒生长阻止层构图为另一种预定的结构以在第一电极的底部区域中保持一个残余的晶粒生长阻止层；(f)进行一第一亚稳多晶硅(MPS)晶粒生长工艺，以使第一亚稳多晶硅晶粒在第一电极的除覆盖有残余晶粒生长阻止层的底部区域外的内壁上生长；(g)除去残余的晶粒生长阻止层以暴露出第一电极的底部区域；(h)除去包覆第一电极的牺牲绝缘层；(i)在第一电极上形成一介电层；以及(j)在介电层的顶面上形成一个第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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