[发明专利]多孔电介质中嵌刻铜结构的制成方法有效
| 申请号： | 02160505.X | 申请日： | 2002-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1467816A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明为制成含金属互联结构的集成电路一种方法。此方法包括在半导体衬底上形成第一层电介质材料。方法也包含在此电介质层中制成金属嵌刻结构并使其被此电介质所环绕，此方法选择性地去除嵌刻结构某一部分的电介质材料，使这部分的金属线上部暴露出来，此方法在暴露金属线的周围形成多孔电介质材料，这种多孔电介质材料的介电常数在1至2.6之间。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 电介质 中嵌刻铜 结构 制成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路中金属互联结构制成的方法，包括：在半导体衬底的表面上形成第一层电介质材料；在第一层电介质材料中制成金属嵌刻结构，金属被第一层电介质材料所包围；选择性地去除围在金属线周围的电介质材料使部分金属嵌刻结构暴露出来；在暴露的金属周围形成多孔材料使之紧邻金属线；多孔材料的介电常数在1-2.6之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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