[发明专利]在半导体装置中形成金属互连层的方法无效
| 申请号： | 02160425.8 | 申请日： | 2002-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1449015A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 表成奎 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波,侯宇 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在半导体装置中形成金属互连层的方法，藉由该方法可透过电极电镀法连续地在具极高长宽比的双金属镶嵌图样、通道孔或沟槽中填充无空洞的金属膜。为达此任务，该方法包括下面的步骤：在半导体基板上形成一下方导体层；在该已经形成下方导体层的半导体基板上形成一层间绝缘膜；选择性地蚀刻该层间绝缘膜以形成一特定形状的开孔，透过该开孔可曝露出该下方导体层；沿着已经形成的具特定形状的开孔的梯状构造形成一金属晶种层；藉由一激光制造工艺回流该金属晶种层以形成一厚度均匀的金属晶种层；对该金属晶种层执行氢气还原退火制造工艺；以及藉由电极电镀法在该金属晶种层之上形成一金属膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 金属 互连 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体装置中形成金属互连层的方法，其包括下面的步骤：在半导体基板上形成一下方导体层；在该已经形成下方导体层的半导体基板上形成一层间绝缘膜；选择性地蚀刻该层间绝缘膜以形成一特定形状的开孔，透过该开孔可曝露出该下方导体层；沿着已经形成的具有特定形状的开孔的梯状构造形成一金属晶种层；藉由激光制造工艺回流该金属晶种层形成一厚度均匀的金属晶种层；对该金属晶种层进行氢气还原退火制造工艺；以及藉由电镀法在该金属晶种层之上形成一金属膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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