[发明专利]具有缺陷态的二维光子晶体光开关及其应用无效

专利信息
申请号: 02160207.7 申请日: 2002-12-31
公开(公告)号: CN1514272A 公开(公告)日: 2004-07-21
发明(设计)人: 刘元好;胡小永;王义全;韩守振;程丙英;张道中 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: G02F1/015 分类号: G02F1/015
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 王凤华
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种具有缺陷态的二维光子晶体光开关及其应用,本发明采用微加工技术,利用半导体材料的高折射率,制备出高质量带有缺陷态的二维光子晶体,利用半导体材料的高三阶非线性极化率和半导体材料的快响应时间来实现光开关,从而提供了一种实用、方便、高效率的在光通讯、光计算等领域有广泛用途的光开关的方法。本发明可以在可见光和红外区域大范围内实现光开关。
搜索关键词: 具有 缺陷 二维 光子 晶体 开关 及其 应用
【主权项】:
1、一种具有缺陷态的二维光子晶体光开关,其中:该光开关是在二维光子晶体上设缺陷态微腔制成;其中该二维光子晶体是在模板上设三阶非线性极化率薄膜,然后根据晶格常数在非线性极化率薄膜上刻蚀有正常微腔和缺陷态微腔形成。
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