[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

对于在有机基板上直接搭载具有小于100微米间距大于50管脚的电极的LSI芯片的半导体装置，提供半导体装置的耐焊锡回流性、温度循环可靠性、高温高湿可靠性好的安装结构及制造方法。构成为通过Au/Au金属接合直接倒装片接合芯片的电极Au凸起和基板连接端子最表面的Au膜，并接合构成为Au凸起的接合部延伸大于2微米。得到该接合结构的方法为从溅射清洁开始在10分钟内超声波接合两接合面的工序，选择接合条件为基板侧：常温，芯片侧：常温－150度，接合负荷：1/2S＊100MPa－S＊180MPa(S：凸起/芯片间的接触面积)，负荷模式：接合中增加，超声波时间：50－500ms，可实现上述结构。

主权项

1、一种半导体装置，具备：至少一部分由有机材料构成的多层布线基板；形成电路的半导体芯片；和埋置在上述半导体芯片与上述多层布线基板之间的有机树脂，其特征在于：上述多层布线基板上的芯片连接用端子下的至少一部分的构成部件由具有小于150度的玻璃转变温度的有机材料构成，芯片连接用端子的最小间距为小于100微米的间距，芯片连接用端子的表面金属由Ni-P/Au或Ni-P/Pd/Au的电镀层构成，并且Au或Pd/Au的贵金属部的总厚度为0.005-0.3微米，在半导体芯片的电极端子上形成Au凸起，通过金属接合连接基板上的上述Au连接端子和芯片的上述Au凸起。