[发明专利]制作热熔丝的方法

摘要

一种制作热熔丝的方法，该半导体基底的表面至少定义有一热熔丝区域以及一焊垫压域，本发明方法先于该半导体基底表面依序形成一厚度约为12k的导电层以及一保护层，接着蚀刻该热熔丝区域上部分的该保护层以及该导电层，并使该热熔丝区域上的该导电层厚度剩约5k；最后再于该半导体基底表面形成一介电层，并蚀刻该焊垫区域上部分的该介电层以及该保护层，直至该导电层表面；本发明可在不增加任何金属沉积制程的情况下，同时于半导体晶片上制备较厚的铝焊垫以及较薄的热熔丝，以避免热熔丝在进行激光切割时，发生铝层太厚无法切断的情形，而且铝焊垫的厚度仍维持在原本金属层的厚度，故有效提高构装时良好的焊接性。

主权项

1.一种于一基底之上制作导电层的方法，该基底表面定义有一第一区域以及一第二区域，其特征是：该方法包含有下列步骤：于该第一区域以及该第二区域上各形成至少一导电层；于该基底表面形成一第一介电层，并覆盖于各该导电层之上；去除位于该第一区域内部份的该第一介电层以及部份的该导电层，以使该第一区域内的该导电层剩余至一预定厚度；以及去除位于该第二区域内部份的该第一介电层，直至该导电层的表面。