[发明专利]晶体管形成方法

摘要

本发明提供一种能减少短沟道效应和逆短沟道效应晶体管形成方法。该形成方法步骤有：在半导体基片顺次形成使基片一部分露出焊垫氧化膜和氮化硅膜；把焊垫氧化膜和氮化硅膜作为掩膜蚀刻基片形成绝缘沟槽；顺次在沟槽内部在第一氧化膜和所述第一氧化膜侧面形成柱状绝缘间隔；形成使第一氧化膜和绝缘间隔沟槽内部添平的绝缘图形；通过蚀刻碳化硅膜、绝缘图形和绝缘间隔使焊垫氧化膜露出；除去焊垫氧化膜；除去绝缘间隔和第一氧化膜；顺次在剩余的绝缘图形两侧下部基片形成源极/漏极和LDD；在源极/漏极和LDD基片上形成第二氧化膜；顺次在LDD之间形成沟道阻挡层和在其下部形成穿透阻挡层，顺次在第二氧化膜沟槽内部形成栅极绝缘膜和栅极。

主权项

1.一种晶体管形成方法，其特征在于，包括：在半导体基片上顺次形成使所述基片的一部分露出的焊垫氧化膜和氮化硅膜的步骤；通过把所述焊垫氧化膜和氮化硅膜作为掩膜蚀刻所述基片形成沟槽的步骤；顺次在所述沟槽内部在第一氧化膜和所述第一氧化膜的侧面上形成柱状的绝缘间隔的步骤；形成使包含所述第一氧化膜和绝缘间隔的沟槽的内部添平的绝缘图形的步骤；通过蚀刻所述碳化硅膜、所述绝缘图形和所述绝缘间隔使所述焊垫氧化膜露出的步骤；除去所述焊垫氧化膜的步骤；除去所述绝缘间隔和第一氧化膜的步骤；顺次在所述剩余的绝缘图形的两侧的下部基片上形成源极/漏极和LDD的步骤；在包含所述源极/漏极和LDD的基片上形成第二氧化膜的步骤；顺次在所述LDD中间形成沟道阻挡层和在其下部形成穿透阻挡层的步骤；以及顺次在包含所述第二氧化膜的沟槽内部形成栅极绝缘膜和栅极的步骤。