[发明专利]利用调制的复合一维纳米材料制备单电子器件的方法无效
| 申请号： | 02157972.5 | 申请日： | 2002-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1510716A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 彭练矛;陈清;梁学磊;车仁超 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅;王燕秋 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于纳电子学及纳电子器件领域，具体为利用调制的复合一维纳米材料构建单电子器件并提高其工作温度到室温或更高的思想和方法。通过在生长过程中控制地在一维纳米结构(纳米管)中引入势垒(可以用金属颗粒、成分改变、金属和绝缘体或非晶和晶体的转变、定位的电子或离子注入)，可以改变纳米管的电学性质。用这种复合纳米材料制备出单电子器件。通过调节势垒的间距，可以控制由此制备的单电子器件的工作温度达到室温或更高温。本发明用于纳电子学研究及单电子器件制备。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 调制 复合 纳米 材料 制备 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备单电子器件的方法，包括碳纳米管的制备、电极的设计制备及通过组装和纳米加工构成器件，其特征是利用调制的复合一维纳米材料制备单电子器件，通过在生长过程中控制地在一维纳米结构中引入势垒，改变纳米管的电学性质，使单电子器件工作温度提高到室温或更高。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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