[发明专利]制造半导体发光装置的方法及其制造的半导体发光装置有效
| 申请号： | 02157516.9 | 申请日： | 2002-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1420571A | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 小出典克 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李瑞海,王景刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体发光装置的方法，该装置包括至少一个位于衬底上的第一柱状多层结构，并包含以镓氮化物为基的半导体化合物半导体层，该化合物可由化学式InxGayAlzN(其中x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)表示，该方法包括在衬底中形成多个凹槽的第一步骤；和在衬底上形成多个第一柱状多层结构，从而由该凹槽分离的第二步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 发光 装置 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体发光装置的方法，该装置包括至少一个位于衬底上的第一柱状多层结构，并包含以镓氮化物为基的半导体化合物半导体层，该化合物由化学式InxGayAlzN(其中x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)表示，该方法包括：在衬底中形成多个凹槽的第一步骤；和在衬底上形成多个第一柱状多层结构，从而由该凹槽分离的第二步骤。
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