[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

提供可进行体固定，同时实现高速且稳定的动作的SOI元件。在栅极电极12的栅极接触焊盘GP以外的部分与SOI层3之间，配设厚度1到5nm的栅极绝缘膜11，在栅极接触焊盘GP与SOI层3之间，配设厚度5到15nm的栅极绝缘膜110。另外，栅极绝缘膜11和栅极绝缘膜110已连接起来。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，该半导体元件具有：半导体衬底；配设在依次层积了埋入氧化膜和SOI层的SOI衬底的上述SOI层上边的MOS晶体管；设置在上述SOI层的表面内，且可从外部进行电位固定的体接触部分，上述MOS晶体管的栅极电极俯视图形状，具有栅极宽度方向的至少一方的端部向栅极长度方向扩展而构成栅极接触焊盘的形状，上述体接触部分被设置在上述栅极接触焊盘的栅极宽度方向的端部的外方的上述SOI层的表面内，并通过上述SOI层，电连到上述栅极电极下部的沟道形成区上，上述MOS晶体管的栅极绝缘膜，在栅极宽度方向上具有第1厚度的第1部分、第2厚度的第2部分，上述第2部分的厚度比上述第1部分的厚度更厚，该方法包括如下的步骤：(a)在上述SOI层上边，选择性地形成含有上述栅极绝缘膜的第2部分的上述第2厚度的绝缘膜的步骤；(b)使得连接到含有上述第2部分的上述第2厚度的绝缘膜上那样地，在上述SOI层上边，选择性地形成含有上述栅极绝缘膜的第1部分的上述第1厚度的绝缘膜的步骤，上述步骤(a)至少包括在将成为栅极接触焊盘的下部的区域上，形成上述第2厚度的绝缘膜的步骤。